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六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)是一個(gè)非常特殊的幾個(gè),它在每個(gè)晶體層都有互相的作用,那么這些作用具體是什么的,讓我們來(lái)看。
六方氮化硼其有與眾不同的電學(xué)和電子光學(xué)物理性質(zhì),已變成電子廠及光電子器件和納米材料各個(gè)領(lǐng)域的科學(xué)研究網(wǎng)絡(luò)熱點(diǎn),并即將替代硅材料變成下代半導(dǎo)體材料的基本原材料。但受襯底頁(yè)面態(tài)的危害,石六方氮化硼在襯底上的遷移率通常難以達(dá)到基礎(chǔ)知識(shí)水準(zhǔn)測(cè)量。與此同時(shí),因?yàn)榍啡边m合的柵物質(zhì)材質(zhì),石墨烯元器件難以實(shí)現(xiàn)規(guī)模性模塊化。六方氮化硼三維線原子晶體(hexagonal Boron Nitride, h_BN)與六方氮化硼構(gòu)造相近,具備挺高的面內(nèi)彈性模量、持續(xù)高溫穩(wěn)定、原子級(jí)線性的表層和非常少的表層懸架鍵,然后與石墨烯晶格常數(shù)失配特小(1.8%)。
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