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六方氮化硼的晶體結構是一個非常特殊的幾個,它在每個晶體層都有互相的作用,那么這些作用具體是什么的,讓我們來看。
六方氮化硼其有與眾不同的電學和電子光學物理性質(zhì),已變成電子廠及光電子器件和納米材料各個領域的科學研究網(wǎng)絡熱點,并即將替代硅材料變成下代半導體材料的基本原材料。但受襯底頁面態(tài)的危害,石六方氮化硼在襯底上的遷移率通常難以達到基礎知識水準測量。與此同時,因為欠缺適合的柵物質(zhì)材質(zhì),石墨烯元器件難以實現(xiàn)規(guī)模性模塊化。六方氮化硼三維線原子晶體(hexagonal Boron Nitride, h_BN)與六方氮化硼構造相近,具備挺高的面內(nèi)彈性模量、持續(xù)高溫穩(wěn)定、原子級線性的表層和非常少的表層懸架鍵,然后與石墨烯晶格常數(shù)失配特小(1.8%)。