現(xiàn)代，電子元件和信通的體積不斷變小，速度不斷變快，對(duì)熱處理和可靠性形成了巨大的挑戰(zhàn)，尤其是使用壽命淪為關(guān)鍵問題，局部高熱流熱點(diǎn)的熱管理是大功率電子器件的關(guān)鍵，不理想的散熱會(huì)造成芯片中特殊區(qū)域溫度過高，影響電子系統(tǒng)性能和電子器件的可靠性，近年來，二維氮化硼被提出可作為一種有前景的散熱材料，很多學(xué)者報(bào)道了而為氮化硼在大功率晶體管熱管理中的應(yīng)用。

單層二維氮化硼又被稱為白色石墨，現(xiàn)已成為二維材料家族中的重要一員，它具有與石墨烯類似的結(jié)構(gòu)特征和晶格參數(shù)，近年來收到科研界的廣泛關(guān)注，有希望成為在電子元器件中石墨烯的替代品，目前針對(duì)二維層狀氮化硼的研究主要集中在制備、電學(xué)性能測試分析和應(yīng)用價(jià)值的探討上。由于氮化硼是一種寬帶隙絕緣材料，要選擇合理恰當(dāng)?shù)姆椒ㄕ{(diào)整帶隙結(jié)構(gòu)，使其向半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變，是相當(dāng)有難度的工作，從另一個(gè)角度考慮二維氮化硼沿著A、B軸平面的熱導(dǎo)率是石英的10倍，而熱膨脹系數(shù)相當(dāng)于石英，是陶瓷中最小的，同時(shí)二維氮化硼又很高的電阻率，絕緣性號(hào)，加上其物理、化學(xué)的穩(wěn)定性，很適合用于電子器件中的絕緣散熱材料。