法國一個半導(dǎo)體研究小組利用氮化硼分離層來生長氮化銦鎵(InGaN)太陽能電池，然后將其從原來的藍寶石襯底上提起并放置在玻璃襯底上。

通過將氮化銦鎵電池與由硅或砷化鎵等材料制成的光伏(PV)電池結(jié)合，新的剝離技術(shù)能夠促進更高效率的能夠捕獲更廣的光譜的混合光伏器件的制造。這樣的混合結(jié)構(gòu)可以在理論上提高氮化銦鎵/硅串列器件的太陽能電池效率高達30%。

該技術(shù)可有助于實現(xiàn)生產(chǎn)太陽能電池時，提高效率，降低成本，能夠用于廣泛的地面和空間應(yīng)用。研究人員在文章中寫道：“這種向外國襯底轉(zhuǎn)移氮化銦鎵基太陽能電池，同時提高性能的示范代表了朝著輕質(zhì)、低成本和高效率光伏應(yīng)用的重大進步。”

“利用這種技術(shù)，我們可以加工氮化銦鎵太陽能電池，并在底部設(shè)置一個電介質(zhì)層，只收集短波長，”Ougazzaden解釋道。“較長的波長可以通過它進入底部電池。通過使用這種方法，我們可以分別優(yōu)化每個表面。”

研究人員在約1300攝氏度的MOVPE（金屬有機物汽相外延）工藝下，通過在兩英寸藍寶石晶片上生長氮化硼單層，開始了這一過程。氮化硼表面涂層只有幾納米厚，并且產(chǎn)生具有強平面連接但弱垂直連接的晶體結(jié)構(gòu)。

氮化銦鎵以微弱的范德華力附著在氮化硼上，允許太陽能電池在晶片上生長，并且在沒有損壞的情況下被移除。到目前為止，晶片單位已經(jīng)手動從藍寶石中去除，但是Ougazzaden相信轉(zhuǎn)移過程可以自動化，以降低雜交生產(chǎn)晶片的成本。